Считается, что заменить кремний при производстве микроэлектроники сможет относительно новый материал графен — кристалл, состоящий из слоя углерода толщиной в один атом. До недавнего времени никому не удавалось создать большую пластину с графеновыми транзисторами. Но в начале этого года ученые с кафедры материаловедения Пенсильванского университета смогли напечатать пластину диаметром 100 мм с полевыми транзисторами на основе графена. Теперь задача группы — довести диаметр пластины до двухсот и более миллиметров: на современных заводах используют 200- и 300-миллиметровые кремниевые пластины, и, чтобы переход на графен произошел максимально плавно, нужно, чтобы техпроцессы совпадали.

Исследования в этой области очень важны, потому что вечно уменьшать текущий кремниевый техпроцесс невозможно — настанет день, когда полученные транзисторы будут попросту разваливаться из-за нестабильности связи. Кроме того, электроны в графене двигаются с более высокой скоростью, чем в кремнии, и графеновые процессоры теоретически могут работать на терагерцовой частоте.
Кстати, Intel уже отказывается от использования кремния. В 2007 году она столкнулась с тем, что из него больше невозможно создавать затворы транзисторов и перешла на High-k металлы: на их основе сделаны процессоры семейств Nehalem и устаревающие Core 2 Duo.