Проведённое недавно тестирование платформ, основанных на наборе логики Intel P35 и снабжённых DDR3 памятью, показало, что на данном этапе новая память не может обеспечить видимого преимущества в производительности по сравнению с привычной высокочастотной DDR2 SDRAM. Относительно высокие задержки серийных DDR3 модулей приводят к тому, что память, функционирующая на частоте 1333 МГц, проигрывает в скорости широкодоступной DDR2-1066 c таймингами 4-4-4-12 в достаточно большом числе приложений различного характера. Однако такое положение дел не должно стать поводом для поспешных выводов. То, что самая скоростная DDR3 SDRAM, официально поддерживаемая чипсетами Intel на данный момент, имеет частоту 1333 МГц и тайминги 7-7-7 ещё ни чего не значит для тех производителей модулей, которые привыкли идти впереди отраслевых стандартов. Если вы следите за новостями, то знаете, что ведущие производители оверклокерских модулей памяти уже поставляют на рынок DDR3-1600 SDRAM и готовятся к началу продаж DDR3-1800. Достижение столь высоких частот стало возможно благодаря стараниям компании Micron, начавшей выпуск чипов Z9, продолжающих традиции знаменитых в среде оверклокеров микросхем DDR2 Micron D9, которые после проведения отбора и повышения напряжения питания оказываются способны к работе на частотах, значительно превышающих штатные. Несмотря на то, что номинально микросхемы Micron Z9 представляют собой чипы DDR3-1066, именно их использование позволило поднятие практических частот DDR3 SDRAM на новый уровень. Это даёт сторонникам всего нового отличный повод для надежды на превосходство DDR3 в производительности над DDR2 в реальных приложениях.

Важно сделать одно замечание, касающееся сферы применимости DDR3-1600. Дело в том, что модули памяти с такой частотой не могут быть использованы в системах, основанных на Intel P35 ни при какой частоте процессорной шины из штатного набора 800/1066/1333 МГц. Этот набор логики попросту не имеет необходимых делителей для тактования памяти на столь высокой частоте. Поэтому, DDR3-1600 SDRAM в настоящее время представляет интерес исключительно для оверклокеров, разгоняющих процессоры увеличением частоты FSB. К счастью для производителей памяти, таких пользователей существует не так уж мало, благо современные процессоры семейства Core 2 могут похвастать значительным скрытым разгонным потенциалом, не задействовать который кажется просто неразумным.

Таким образом, вполне логичным представляется сравнение новой скоростной DDR3-1600 SDRAM именно с оверклокерскими модулями DDR2 памяти.

Несмотря на произошедший прогресс, всё сказанное в нашем предыдущем материале о DDR3 памяти остаётся в силе. Впечатление, которое произвела на нас новая оверклокерская DDR3 память, к сожалению, хорошим назвать нельзя. Оно неоднозначно. Дело в том, что, согласно полученным результатам тестов, ни DDR3-1333 с экстремально низкими задержками, ни DDR3-1600 не смогли обеспечить однозначно лучшее быстродействие, чем проверенная временем DDR2 память. Хотя в некоторых задачах, например в играх, при кодировании видео контента и в Excel новая DDR3 SDRAM и показывает более высокую производительность, есть большое количество задач, где картина обратная.

Иными словами, производители DDR3 SDRAM движутся в правильном направлении. Ещё немного – и мы сможем сказать, что новая память достигла лучшего быстродействия, нежели оверклокерская память прошлого поколения. Но а пока в число однозначных плюсов новой технологии можно включить лишь более низкое энергопотребление и возможность создания модулей увеличенного объёма.

Впрочем, предел недавно появившихся чипов DDR3 от Micron пока исследован нами не полностью. Мы убедились в том, что память, основанная на этих микросхемах, прекрасно может работать на частоте 1600 МГц, однако в ближайшее время мы сможем познакомиться и с аналогичными DDR3-1800 модулями.

Компания Micron дала прекрасное поле для деятельности компаний, занимающихся разработкой и производством разогнанных модулей. Применяемые ранее в оверклокерских продуктах DDR3 чипы от Elpida столь высоким частотным потенциалом похвастать не могут, а DDR3-1333 память с пониженными таймингами на их основе всё-таки проигрывает даже DDR3-1600, не говоря о более скоростных продуктах.

При этом следует понимать, что рассмотренные в этой статье модули DDR3-1600 OCZ PC3-12800 Platinum Dual Channel EB Edition и Super Talent W1600UX2G7 – это нишевые продукты с исчезающе узкой сферой применимости. Они могут использоваться лишь в разогнанных системах, а привносимые ими преимущества весьма эфемерны. Одновременно с этим стоимость этих комплектов памяти не испугает лишь энтузиастов с исключительно крепкой психикой, особенно если принять во внимание тот факт, что этими же производителями предлагаются и более скоростные продукты. Аналогичный вердикт можно вынести и в адрес DDR3-1333 модулей Kingston KHX11000D3ULK2/2G, которые к тому же практически всегда уступают в производительности качественной DDR2 SDRAM.